| 制造商零件编号 | IRF7811ATRPBF |
| 产品培训模块 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below
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| 产品相片 | 8-SOIC
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 描述 | MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRF7811APBFTR-ND |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 漏源电压（Vdss） | 28V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11A（Ta） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1760pF @ 15V |
| 零件状态 | 停產 |
| 现有数量 | 0
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| 包装 | 标准卷带 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 表面贴装型-N-通道-28V-11A（Ta）-2.5W（Ta）-8-SO |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它有关文件 | IR Part Numbering System
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10 毫欧 @ 11A，10V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 数据列表 | IRF7811APbF;
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| 系列 | HEXFET® |
| 对无铅要求的达标情况 | 无铅 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 其它名称 | IRF7811APBFTR
IRF7811ATRPBF-ND
IRF7811ATRPBFTR-ND
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| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 4.5V |
