| 制造商零件编号 | IRF540NSPBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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| 产品相片 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| PCN 封装 | Packing Material Update 16/Sep/2016
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| 描述 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRF540NSPBF-ND |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| PCN 零件状态更改 | Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018
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| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 33A（Tc） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1960pF @ 25V |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 |
| 现有数量 | 0
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| 包装 | 管件 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 表面贴装型-N-通道-100V-33A（Tc）-130W（Tc）-D2PAK |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| PCN 设计/规格 | Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
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| 其它有关文件 | IR Part Numbering System
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | IRF540N(S,L)PbF;
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| 系列 | HEXFET® |
| 标准包装 | 1,000 |
| 其它名称 | *IRF540NSPBF
64-2158PBF
64-2158PBF-ND
SP001564346
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| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| EDA / CAD 模型 | IRF540NSPBF by SnapEDA
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 71nC @ 10V |
| 仿真模型 | IRF540NSPBF Saber Model
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