原厂标准交货期 | 10 周 |
制造商零件编号 | IRF1010ESTRLPBF |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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产品相片 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
PCN 封装 | Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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描述 | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
FET 类型 | N 通道 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
得捷电子 零件编号 | IRF1010ESTRLPBFDKR-ND |
供应商器件封装 | D2PAK |
漏源电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 84A(Tc) |
制造商 | Infineon Technologies |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3210pF @ 25V |
零件状态 | 有源 |
现有数量 | 得捷电子库存现货: 456
可立即发货
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包装 | Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
类别 | 分立半导体产品 |
安装类型 | 表面贴装型 |
详细描述 | 表面贴装型-N-通道-60V-84A(Tc)-200W(Tc)-D2PAK |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
PCN 设计/规格 | Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
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其它有关文件 | IR Part Numbering System
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特色产品 | Data Processing Systems
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 12 毫欧 @ 50A,10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
数据列表 | IRF1010E(S,L)PbF;
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系列 | HEXFET® |
标准包装 | 1 |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 200W(Tc) |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130nC @ 10V |