IPB019N06L3G

Infineon

IPB019N06L3G

Infineon IPB019N06L3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=60 V, 2+Tab针 TO-263封装

中间价(CNY):14.4803

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Texas Instruments

36V 低电容、低泄漏电流、精密四通道 SPST 开关（常闭）

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IPB019N06L3G 规格参数

宽度	9.45mm
通道类型	N
典型输入电容值@Vds	21000 pF @ 30 V
引脚数目	2+Tab
最大漏源电阻值	0.003 Ω
最小栅阈值电压	1.2V
最大连续漏极电流	120 A
最大功率耗散	250 W
长度	10.31mm
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1
最高工作温度	+175 °C
最大漏源电压	60 V
最大栅阈值电压	2.2V
高度	4.57mm
类别	功率 MOSFET
典型关断延迟时间	131 ns
安装类型	表面贴装
晶体管材料	Si
最大栅源电压	±20 V
晶体管配置	单
通道模式	增强
典型栅极电荷@Vgs	125 nC @ 4.5 V
尺寸	10.31 x 9.45 x 4.57mm
封装类型	TO-263
典型接通延迟时间	35 ns

数据手册