登录
|
免费注册
快易购首页
|
技术文库
|
行业动态
|
数据上传
|
创客窝
网站导航
|
联系客服
|
分类搜索
库存搜索
请输入产品型号、规格参数或原厂品牌、供应商
首页
/
IPB019N06L3G
搜索结果
/
IPB019N06L3G
规格参数
/
Infineon
IPB019N06L3G
Infineon IPB019N06L3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=60 V, 2+Tab针 TO-263封装
中间价(CNY):
14.4803
下载资料
订阅
推荐供应商
Digi-Key
Mouser
Heilind
推广产品
Texas Instruments
TMUX6111
36V 低电容、低泄漏电流、精密四通道 SPST 开关(常闭)
立即购买
下载资料
IPB019N06L3G
规格参数
RS
宽度
9.45mm
通道类型
N
典型输入电容值@Vds
21000 pF @ 30 V
引脚数目
2+Tab
最大漏源电阻值
0.003 Ω
最小栅阈值电压
1.2V
最大连续漏极电流
120 A
最大功率耗散
250 W
长度
10.31mm
最低工作温度
-55 °C
每片芯片元件数目
1
最高工作温度
+175 °C
最大漏源电压
60 V
最大栅阈值电压
2.2V
高度
4.57mm
类别
功率 MOSFET
典型关断延迟时间
131 ns
安装类型
表面贴装
晶体管材料
Si
最大栅源电压
±20 V
晶体管配置
单
通道模式
增强
典型栅极电荷@Vgs
125 nC @ 4.5 V
尺寸
10.31 x 9.45 x 4.57mm
封装类型
TO-263
典型接通延迟时间
35 ns
展开
数据手册
RS
预览
下载