首页/FS50R06W1E3BOMA1搜索结果/FS50R06W1E3BOMA1规格参数/
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon

FS50R06W1E3BOMA1

Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205000mW 21-Pin EASY1B-1 Tray
中间价(CNY):213.1883
推荐供应商
推广产品
LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器
5V 低泄漏电流、4:1、单通道精密模拟多路复用器
FS50R06W1E3BOMA1 规格参数
ConfigurationHex
PCB changed21
HTS8541.29.00.75
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)600
ECCN (US)EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)205000
AutomotiveNo
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Temperature (°C)150
Supplier PackageEASY1B-1
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)1.45
数据手册
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的数据手册,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!