| 原厂标准交货期 | 26 周 |
| 制造商零件编号 | BSS84PH6327XTSA2 |
| 产品相片 | SOT-23-3
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | BSS84PH6327XTSA2CT-ND |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 170mA（Ta） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 19pF @ 25V |
| PCN 组件/产地 | Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017
Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017
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| 零件状态 | 在售 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 9,337
可立即发货
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| 包装 | 剪切带（CT） |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 详细描述 | 表面贴装-P-沟道-60V-170mA（Ta）-360mW（Ta）-SOT-23-3 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它有关文件 | Part Number Guide
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 欧姆 @ 170mA，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | BSS84P;
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| 系列 | SIPMOS® |
| 对无铅要求的达标情况 | 无铅 |
| 标准包装 | 1 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.5nC @ 10V |
| 仿真模型 | MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
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