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BSM35GD120DN2E3224
Infineon

BSM35GD120DN2E3224

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R
中间价(CNY):5711.5325
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适用于数字 X 射线平板检测器的 256 通道模拟前端 (AFE)
具有集成内部基准电压的 16 通道 12 位高电压输出 DAC
BSM35GD120DN2E3224 规格参数
ConfigurationHex
Maximum Continuous Collector Current (A)50
PCB changed17
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)1200
ECCN (US)EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)280000
Package Length107.5
AutomotiveNo
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Pin Count17
Maximum Operating Temperature (°C)150
数据手册