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2N7002DWH6327XT
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2N7002DWH6327XT
规格参数
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Infineon
2N7002DWH6327XT
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
中间价(CNY):
4.8605
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2N7002DWH6327XT
规格参数
贸泽电子
Rds On-漏源导通电阻:
1.6 Ohms
子类别:
MOSFETs
封装 / 箱体:
SOT-363-6
产品种类:
MOSFET
单位重量:
7.500 mg
通道模式:
Enhancement
晶体管极性:
N-Channel
工厂包装数量:
3000
典型接通延迟时间:
3 ns, 3 ns
技术:
Si
商标:
Infineon Technologies
制造商:
Infineon
Id-连续漏极电流:
300 mA
资格:
AEC-Q101
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
系列:
2N7002
典型关闭延迟时间:
5.5 ns, 5.5 ns
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.5 V
晶体管类型:
2 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
配置:
Dual
正向跨导 - 最小值:
200 mS, 200 mS
安装风格:
SMD/SMT
最大工作温度:
+ 150 C
长度:
2 mm
产品类型:
MOSFET
通道数量:
2 Channel
宽度:
1.25 mm
零件号别名:
2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596 2N7002DWH6327XTSA1
Qg-栅极电荷:
600 pC, 600 pC
高度:
0.9 mm
最小工作温度:
- 55 C
下降时间:
3.1 ns, 3.1 ns
上升时间:
3.3 ns, 3.3 ns
封装:
Reel
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