2N7002DWH6327

Infineon

2N7002DWH6327

Infineon 2N7002DWH6327, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.3 A, Vds=60 V, 6针 SOT-363封装

中间价(CNY):0.5

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2N7002DWH6327 规格参数

宽度	1.25mm
通道类型	N
典型输入电容值@Vds	13 pF@ 25 V
引脚数目	6
最大漏源电阻值	4 Ω
最小栅阈值电压	1.5V
最大连续漏极电流	0.3 A
最大功率耗散	0.5 W
配置	双
长度	2mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	2
最大漏源电压	60 V
最大栅阈值电压	2.5V
高度	0.8mm
类别	小信号
典型关断延迟时间	5.5 ns
安装类型	表面贴装
最大栅源电压	±20 V
通道模式	增强
典型栅极电荷@Vgs	0.4 nC@ 0 → 10 V
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型	SOT-363
典型接通延迟时间	3 ns

数据手册