Infineon

2N7002DW L6327

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

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2N7002DW L6327 规格参数

制造商零件编号	2N7002DW L6327
产品相片	448; PPG-SOT363-PO; ; 6
湿气敏感性等级（MSL）	1（无限）
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 30/Nov/2011
描述	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
FET 类型	2 N-通道（双）
封装/外壳	6-VSSOP，SC-88，SOT-363
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
得捷电子零件编号	2N7002DWL6327-ND
供应商器件封装	PG-SOT363-6
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	300mA
功率 - 最大值	500mW
制造商	Infineon Technologies
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	20pF @ 25V
零件状态	停產
现有数量	0
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
安装类型	表面贴装型
详细描述	2-N-通道（双）-Mosfet-阵列-60V-300mA-500mW-表面贴装型-PG-SOT363-6
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
其它有关文件	Part Number Guide
特色产品	Data Processing Systems
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3 欧姆 @ 500mA，10V
数据列表	2N7002DW Datasheet;
系列	OptiMOS™
对无铅要求的达标情况	无铅
标准包装	3,000
FET 功能	逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	0.6nC @ 10V

数据手册

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得捷电子	预览	下载