| 原厂标准交货期 | 6 周 | 
| 制造商零件编号 | IS43DR16320D-25DBI-TR | 
| 产品相片 | 84-TWBGA (8x12.5) | 
| 存储器格式 | DRAM | 
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3(168 小时) | 
| 存储容量 | 512Mb (32M x 16) | 
| 访问时间 | 400ps | 
| 描述 | IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA | 
| 封装/外壳 | 84-TFBGA | 
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 
| 得捷电子 零件编号 | IS43DR16320D-25DBI-TR-ND | 
| 供应商器件封装 | 84-TWBGA(8x12.5) | 
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 
| 存储器接口 | 并联 | 
| 零件状态 | 有源 | 
| 现有数量 | 查看货期 | 
| 包装 | 标准卷带 | 
| 类别 | 集成电路(IC) | 
| 安装类型 | 表面贴装型 | 
| 详细描述 | SDRAM-DDR2-存储器-IC-512Mb-(32M-x-16)-并联-400MHz-400ps-84-TWBGA(8x12.5) | 
| 技术 | SDRAM - DDR2 | 
| 产品族 | 存储器 | 
| 时钟频率 | 400MHz | 
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.9V | 
| 数据列表 | IS43/46DR86400D, IS43/46DR16320D; | 
| 系列 | - | 
| 标准包装 | 2,500 | 
| 存储器类型 | 易失 | 
| 写周期时间 - 字,页 | 15ns |