Fairchild Semiconductor

H11AA4-M

The H11AA4M devices consist of two gallium-arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel driving a single silicon phototransistor output.

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具有 18.5mW/通道功率、LVDS 接口和 CW 无源混频器的低功耗 32 通道超声波 AFE

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