首页/FDN306P搜索结果/FDN306P规格参数/
FDN306P
Fairchild Semiconductor

FDN306P

FDN306P , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.6 A, Vds=12 V, 3针 SOT-23封装
中间价(CNY):1.4256
推荐供应商
推广产品
LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器
规格参数
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的规格参数,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!