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MMBF170Q-13-F
Diodes Inc

MMBF170Q-13-F

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中间价(CNY):-
推荐供应商
MMBF170Q-13-F 规格参数
安装类型表面贴装
标准包装 10,000
技术MOSFET(金属氧化物)
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品相片http://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-3%20PKG.jpg
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
FET 类型N 沟道
Vgs(最大值)±20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5 欧姆 @ 200mA,10V
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)