| 原厂标准交货期 | 14 周 |
| 制造商零件编号 | BSS84DW-7-F |
| 产品相片 | SOT-363
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| RoHS指令信息 | Diodes RoHS 3 Cert
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| 描述 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | BSS84DW-FDITR-ND |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 130mA |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 45pF @ 25V |
| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 333,000
可立即发货
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| 包装 | 标准卷带 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 2-个-P-沟道（双）-Mosfet-阵列-50V-130mA-300mW-表面贴装型-SOT-363 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| PCN 设计/规格 | Bond Wire 3/May/2011
Green Encapsulate Change 09/July/2007
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| 其它图纸 | SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
SOT-363 Package Top
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 数据列表 | BSS84DW Datasheet;
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| 系列 | - |
| PCN 其它 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013
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| 标准包装 | 3,000 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - |
