制造商零件编号 | CY62146ELL-45ZSXAT |
产品相片 | 44-TSOP II
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存储器格式 | SRAM |
湿气敏感性等级 (MSL) | 3(168 小时) |
存储容量 | 4Mb (256K x 16) |
PCN 过时产品/ EOL | 4Mb / 2Mb 16/Jun/2016
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PCN 封装 | Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019
Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018
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访问时间 | 45ns |
RoHS指令信息 | RoHS3 Certificate
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描述 | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
得捷电子 零件编号 | CY62146ELL-45ZSXAT-ND |
供应商器件封装 | 44-TSOP II |
制造商 | Cypress Semiconductor Corp |
存储器接口 | 并联 |
PCN 组件/产地 | Qualification of Polyimide Process 13/Dec/2013
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零件状态 | Digi-Key 停产 |
现有数量 | 0
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包装 | 标准卷带 |
类别 | 集成电路(IC) |
安装类型 | 表面贴装型 |
详细描述 | SRAM-异步-存储器-IC-4Mb-(256K-x-16)-并联-45ns-44-TSOP-II |
技术 | SRAM - 异步 |
产品族 | 存储器 |
电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
特色产品 | Cypress Memory Products
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视频文件 | Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
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数据列表 | CY62146E;
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系列 | MoBL® |
标准包装 | 1,000 |
存储器类型 | 易失 |
写周期时间 - 字,页 | 45ns |