BLP10H610 规格参数
| Configuration | Dual Common Source |
| PCB changed | 12 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 120 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Power Gain (dB) | 18(Max) |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Package | HVSON EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1.2 |
数据手册
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